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各类二极管的比拟及区分

文章来历:东莞1818体育直播半导体无限公司 人气:11 颁发时候:2021-05-12 10:06:41
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各类二极管的区分
一)通俗二极管的检测(包含检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)是由一个PN布局成的半导体器件,具备单领导电特征。经由过程用万用表检测其正、反向电阻值,能够辨别出二极管的电极,还可估测出二极管是不是破坏。
1.极性的辨别将万用表置于Rx100档或Rx1k档,两表笔别离接二极管的两个电极,测出一个成果后,对换两表笔,再测出一个成果。两次丈量的成果中,有一次丈量出的阻值较大(为反向电阻),一次丈量出的阻值较小(为正向电阻)。在阻值较小的一次丈量中,黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极。
2.单负导电机能的检测及黑白的判定凡是,错资料二极管的正向电阻值为1k2摆布,反向电阻值为300摆布。硅资料二极管的电阻值为5kQ摆布,反向电阻值为。o(无限大)。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越差异,申明二极管的单领导电特征越好。
若测得二极管的正、反向电阻值均靠近0或阻值较小,则申明该二极管外部已击穿短路或泄电破坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无限大,则申明该二极管已开路破坏。
3.反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压(耐压值)能够用晶体管直流参数测试表丈量。其方式是:丈量二极管时,应将测试表的“NPN/PNP“挑选键设置为NPN状况,再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内,负极拔出测试表的“e插孔,而后按下“V(BR)"
键,测试表便可唆使出二极管的反向击穿电压值。
也可用兆欧表和万用表来丈量二极管的反向击穿电压、丈量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接,将二极管的正极与兆欧表的负极相连,同时用万用表(置于适合的直流电压档)监测二极管两头的电压。如图4-71所示,动摇兆欧表手柄(应由慢逐步加速),待二极管两头电压不变而不再回升时,此电压值便是二极管的反向击穿电压。
(二)稳压二极管的检测
1.正、负电极的辨别从形状上看,金属封装稳压二极管管体的正极一端为立体形,负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有玄色标记的一端为负极,别的一端为正极。对标记不清晰的稳压二极管,也能够用万用表辨别其极性,丈量的方式与通俗二极管不异,即用万用表Rx1k档,将两表笔别离接稳压二极管的两个电极,测出一个成果后,再对换两表笔停止丈量。在两次丈量成果中,阻值较小那一次,黑表笔接的是稳压二极管的正极,红表笔接的是稳压二极管的负极。

若测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无限大,则申明该二极管已击穿或开路破坏。

2.稳压值的丈量用0-30V持续可调直流电源,对13V以下的稳压二极管,可将稳压电源的输出电压调至15V,将电源正极串接1只1.5k2限流电阻后与被测稳压二极管的负极相毗连,电源负极与稳压二极管的正极相接,再用万用表丈量稳压二极管两头的电压值,所测的读数即为稳压二极管的稳压值。若稳压二极管的稳压值高于15V,则应将稳压电源调至20V以上。
也可用低于1000V的兆欧表为稳压二极管供给测试电源。其方式是:将兆欧表正端与稳压二极管的负极相接,兆欧表的负端与稳压二极管的正极相接后,按划定匀速动摇兆欧表手柄,同时用万用表监测稳压二极管两头电压值(万用表的电压档应视不变电压值的巨细而定),待万用表的唆使电压唆使不变时,此电压值便是稳压二极管的不变电压值。若丈量稳压二极管的不变电压值忽高忽低,则申明该二极管的性不不变。
(三)双向触发二极管的检测
1.正、反向电阻值的丈量用万用表Rx1k或Rx10k档,丈量双向触发二极管正、反向电阻值。通俗时其正、反向电阻值均应为无限大。若测得正、反向电阻值均很小或为0,则申明该二极管已击穿破坏。
2.丈量转机电压丈量双向触发二极管的转机电压有三种方式。
第一种方式是:将兆欧表的正极(E)和负极(L)别离接双向触发二极管的两头,用兆欧表供给击穿电压,同时用万用表的直流电压档丈量出电压值,将双向触发二极管的南北极对换后再丈量一次。比拟一下两次丈量的电压值的误差(通俗为3~6V)。此误差值越小,申明此二极管的机能越好。
第二种方式是:先用万用表测出市电电压U,而后将被测双向触发二极管串入万用表的交换电压丈量回路后,接入市电电压,读出电压值U1,再将双向触发二极管的南北极对换毗连后并读出电压值U2。
若U1与U2的电压值不异,但与U的电压值差别,则申明该双向触发二极管的导通机能对称性杰出。若U1与U2的电压值相差较大时,则申明该双向触发二极管的导通性错误称。若U1、U2电压值均与市电U不异时,则申明该双向触发二极管外部已短路破坏。若U1、U2的电压值均为0V,则申明该双向触发二极管外部已开路破坏。
第三种方式是:用0~50V持续可调直流电源,将电源的正极串接1只20kQ电阻器后与双向触发二极管的一审察接,将电源的负极串接万用表电流档(将其置于1mA档)后与双向触发二极管的别的一审察接。逐步增添电源电压,当电流表指针有较较着摆动时(几十微安以上),则申明此双向触发二极管已导通,此时电源的电压值便是双向触发二极管的转机电压。
(四)发光二极管的检测
1.正、负极的辨别将发光二极管放在一个光源下,察看两个金属片的巨细,凡是金属片大的一端为负极,金属片小的一端为正极。
2.机能黑白的判定
用万用表R×10k档,丈量发光二极管的正、反向电阻值。通俗时,正向电阻值(黑表笔接正极时)约为10~20kΩ,反向电阻值为250kQ-o(无限大)。较高活络度的发光二极管,在丈量正向电阻值时,管内会发微光。若用万用表Rx1k档丈量发光二极管的正、反向电阻值,则会发明其正、反向电阻值均靠近。(无限大),这是因为发光二极管的正向压降大于1.6V
(高于万用表Rx1k档内电池的电压值1.5V)的原因。
用万用表的Rx10k档对一只220uF/25V电解电容器充电(黑表笔接电容器正极,红表笔接电容器负极),再将充电后的电容器正极接发光二极管正极、电容器负极接发光二极管负极,若发光二极管有很亮的闪光,则申明该发光二极管无缺。
也可用3V直流电源,在电源的正极串接1只33Q电阻后接发光二极管的正极,将电源的负极接发光二极管的负极(见图4-74),通俗的发光二极管应发光。或将1节1.5V电池串接在万用表的黑表笔(将万用表置于Rx10或R×100档,黑表笔接电池负极,便是与表内的
1.5V电池串连),将电池的正极接发光二极管的正极,红表笔接发光二极管的负极,通俗的发光二极管应发光。
(五)红外发光二极管的检测
1.正、负极性的辨别红外发光二极管多接纳通明树脂封装,管心下部有一个浅盘,管内电极广大的为负极,而电极局促的为正极。也可从管体态状和引脚的是非来判定。凡是,靠近管身侧向小立体的电极其负极,别的一端引脚为正极。长引脚为正极,短引脚为负极。
2.机能黑白的丈量用万用表R×10k档丈量红外发光管有正、反向电阻。通俗时,正向电阻值约为15~40k2(此值越小越好);反向电阻大于500k2(用Rx10k档丈量,反向电阻大于200k2)。若测得正、反向电阻值均靠近零,则申明该红外发光二极管外部已击穿破坏。
若测得正、反向电阻值均为无限大,则申明该二极管已开路破坏。若测得的反向电阻值远远小于500kΩ,则申明该二极管已泄电破坏。
(六)红外光敏二极管的检测
将万用表置于Rx1k档,丈量红外光敏二极管的正、反向电阻值。通俗时,正向电阻值(黑表笔所接引脚为正极)为3~10kQ摆布,反向电阻值为500k2以上。若测得其正、反向电阻值均为0或均为无限大,则申明该光敏二极管已击穿或开路破坏。
在丈量红外光敏二极管反向电阻值的同时,用电视机遥控器对着被测红外光敏二极管的领受窗口(见图4-75)。通俗的红外光敏二极管,在按动遥控器上按键时,其反向电阻值会由500k2以上减小至50~100k2之间。阻值降落越多,申明红外光敏二极管的活络度越高。
(七)其余光敏二极管的检测
1.电阻丈量法用黑纸或黑布遮住光敏二极管的光旌旗灯号领受窗口,而后用万用表Rx1k档丈量光敏二极管的正、反向电阻值。通俗时,正向电阻值在10~20k2之间,反向电阻值为。
(无限大)。若测得正、反向电阻值均很小或均为无限大,则是该光敏二极管泄电或开路损再去掉黑纸或黑布,使光敏二极管的光旌旗灯号领受窗口瞄准光源,而后察看其正、反向电阻值的变更。通俗时,正、反向电阻值均应变小,阻值变更越大,申明该光敏二极管的活络度越高。
2.电压丈量法将万用表置于1V直流电压档,黑表笔接光敏二极管的负极,红表笔接光敏二极管的正极、将光敏二极管的光旌旗灯号领受窗口瞄准光源。通俗时应有0.2~0.4V电压(其电压与光照强度成反比)。
3.电流丈量法将万用表置于50uA或500uA电流档,红表笔接正极,黑表笔接负极,通俗的光敏二极管在白炽灯光下,跟着光照强度的增添,其电流从几微安增大至几百微安。
(八)激光二极管的检测
1.阻值丈量法拆下激光二极管,用万用表Rx1k或Rx10k档丈量其正、反向电阻值。通俗时,正向电阻值为20~40k2之间,反向电阻值为o(无限大)。若测得正向电阻值已跨越50kΩ,则申明激光二极管的机能已降落。若测得的正向电阻值大于90kΩ,则申明该二极管已严峻老化,不能再利用了。
2.电流丈量法用万用表丈量激光二极管驱动电路中负载电阻两头的电压降,再按照欧姆定律预算出流过该管的电流值,当电流跨越100mA时,若调理激光功率电位器(见图4-76)
而电流无较着的变更,则可判定激光二极管严峻老化。若电流剧增而失控,则申明激光二极管的光学谐振腔已破坏。
(九)变容二极管的检测
1.正、负极的辨别有的变容二极管的一端涂有玄色标记,这一端便是负极,而别的一端为正极。另有的变容二极管的管壳两头别离涂有黄色环和白色环,白色环的一端为正极,黄色环的一端为负极。
也能够用数字万用表的二极管档,经由过程丈量变容二极管的正、反向电压降来判定出其正、负极性。通俗的变容二极管,在丈量其正向电压降时,表的读数为0.58~0.65V;丈量其反向电压降时,表的读数显现为溢出标记“1”。在丈量正向电压降时,红表笔接的是变容二极管的正极,黑表笔接的是变容二极管的负极。
2.机能黑白的判定用指针式万用表的Rx10k档丈量变容二极管的正、反向电阻值。通俗的变容二极管,其正、反向电阻值均为o(无限大)。若被测变容二极管的正、反向电阻值均有必然阻值或均为0,则是该二极管泄电或击穿破坏。
(十)双基极二极管的检测
1.电极的辨别将万用表置于Rx1k档,用两表笔丈量双基极二极管三个电极中肆意两个电极间的正反向电阻值,会测出有两个电极之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ,这两个电极便是基极B1和基极B2,别的一个电极便是发射极E。再将黑表笔接发射极E,用红表笔顺次去打仗别的两个电极,通俗会测出两个差别的电阻值。有阻值较小的一次丈量中,红表笔接的是基极B2,别的一个电极便是基极B1。
2.机能黑白的判定双基极二极管机能的黑白能够经由过程丈量其各极间的电阻值是不是通俗来判定。用万用表Rx1k档,将黑表笔接发射极E,红表笔顺次接两个基极(B1和B2),通俗时均应有几千欧至十几千欧的电阻值。再将红表笔接发射极E,黑表笔顺次接两个基极,通俗时阻值为无限大。
双基极二极管两个基极(B1和B2)之间的正、反向电阻值均为2-10k2规模内,若测得某南北极之间的电阻值与上述通俗值相差较大时,则申明该二极管已破坏。
(十一)桥堆的检测
1.全桥的检测大大都的整流全桥上,均标注有“+”、“-”、“~”标记(此中“+”为整流后输出电压的正极,“-”为输出电压的负极,“”为交换电压输出端),很轻易肯定出各电极。
检测时,可经由过程别离丈量+”极与两个~”极、“”极与两个“~”之间各整流二极管的正、反向电阻值(与通俗二极管的丈量方式不异)是不是通俗,便可判定该全桥是不是已破坏。若测得全桥内鞭只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无限大,则可判定该二极管已击穿或开路破坏。
2.半桥的检测半桥是由两只整流二极管构成,经由过程用万用表别离丈量半桥外部的两只二极管的正、反电阻值是不是通俗,便可判定出该半桥是不是通俗。
(十二)高压硅堆的检测
高压硅堆外部是由多只高压整流二极管(硅粒)串连构成,检测时,可用万用表的R×10k档丈量其正、反向电阻值。通俗的高压硅堆,其正向电阻值大于200kΩ,反向电阻值为无限大。若测得其正、反向均有必然电阻值,则申明该高压硅堆已软击穿破坏。
(十三)变阻二极管的检测
用万用表Rx10k档丈量变阻二极管的正、反向电阻值,通俗的高频变阻二极管的正向电阻值(黑表笔接正极时)为4.5~6k2,反向电阻值为无限大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无限大,则申明被测变阻二极管已破坏。
(十四)肖特基二极管的检测
二端型肖特基二极管能够用万用表Rx1档丈量。通俗时,其正向电阻值(黑表笔接正极)为2.5~3.5Ω,投向电阻值为无限大。若测得正、反电阻值均为无限大或均靠近0,则申明该二极管已开路或击穿破坏。
三端型肖特基二极管应先测出其大众端,辨别出共阴对管,仍是共阳对管,而后再别离丈量两个二极管的正、反向电阻值。
#肖特基二极管和快规复二极管又甚么区分
快规复二极管是指反向规复时候很短的二极管(5us以下),工艺上多接纳掺金办法,布局上有接纳PN结型布局,有的接纳改良的PIN布局。其正向压降高于通俗二极管(1-2V),
反向耐压多在1200V以下。从机能上可分为快规复和超快规复两个品级。前者反向规复时候为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管因此金属和半导体打仗构成的势垒为根本的二极管,简称肖特基二极管(Schotky Barrier Diode),具备正向压下降(0.4--0.5V)、反向规复时候很短(10-40纳秒),并且反向泄电流较大,耐抬高,通俗低于150V,多用于低电压场所。
这两种管子凡是用于开关电源。
肖特基二极管和快规复二极管区分:前者的规复时候比后者小一百倍摆布,前者的反向规复时候约莫为几纳秒~!
前者的长处另有低功耗,大电流,超高速~!电气特征固然都是二极管阿~!
快规复二极管在建造工艺上接纳掺金,纯真的分散等工艺,可取得较高的开关速率,同时也能取得较高的耐压.今朝快规复二极管首要利用在逆变电源中做整流元件.
肖特基二极管:反向耐压值较低40V-50V,通态压降0.3-0.6V,小于10ns的反向规复时候。
它是具备肖特基特征的“金属半导体结”的二极管。其正向肇端电压较低。其金属层除资料外,还能够接纳金、钼、镍、钛等资料。其半导体资料接纳硅或砷化擦,多为N型半导体。这类器件是由大都载流子导电的,以是,其反向饱和电流较以多数载流子导电的PN结大很多。因为肖特基二极管中多数载流子的存贮效应甚微,以是其频次响仅为RC时候常数限定,因此,它是高频和疾速开关的抱负器件。其任务频次可达100GHz。并且,MIS(金属一绝缘体一半导体)肖特基二极管能够用来建造太阳能电池或发光二极管。
快规复二极管:有0.8-1.1V的正领导通压降,35-85nS的反向规复时候,在导通和停止之间敏捷转换,进步了器件的利用频次并改良了波形。快规复二极管在建造工艺上接纳掺金,纯真的分散等工艺,可取得较高的开关速率,同时也能取得较高的耐压.今朝快规复二极管首要利用在逆变电源中做整流元件。

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